(개념) 4 면을 채널로 하는 구조 변화를 통해 성능과 전력 효율을 핀펫(FinFET) 구조 보다 높일 수 있는 기술
GAAFET (또는 nanowire)은 수직적층 방식으로 채널을 늘릴 수 있는 방법을 말한다. control 영역을 4면으로 늘려서 FinFET의 장점을 더 강화돼 계승한다.
MBCFET은 삼성전자의 GAAFET 마케팅 용어라고 생각하면 된다. 차이점은 채널의 제조 형태인데, GAAFET은 wire의 개수를 조절하며 전류량(=성능)을 조정하는 반면, MBCFET은 sheet 단면적을 조절하며 전류랑을 조정한다. 따라서 wire 개수의 정수배로 성능을 조절할 수 있는 기존이 GAAFET보다 연속적인 값(면적)으로 성능을 조절할 수 있는 MBCFET이 더 유리하다.
*핀펫(FinFET) : gate와 oxide가 닿는 면적을 3면으로 늘려서 gate controllability를 늘리는 기술을 말한다.
https://zdnet.co.kr/view/?no=20240216172635
삼성전자, 2세대 3나노 양산 임박...새로운 MBCFET 기술 공개
삼성전자가 올해 상반기 2세대 3나노미터(mn) 공정 칩 양산을 앞두고 2세대 MBCFET(Multi Bridge Channel FET) 기술을 내달 4일 세계 반도체 학회...
zdnet.co.kr
https://velog.io/@embeddedjune/%EC%82%B0%EC%97%85%EB%B6%84%EC%84%9D-MBCFET-Multi-Bridge-Channel-FET
[산업분석] MBCFET (Multi Bridge Channel FET)
메인 기사 - Samsung MBCFET참고 문헌 1 - 삼성 3나노 전략 윤곽…"2022년 GAA 기반 독자기술 도입"참고 문헌 2 - 삼성전자 유튜브 영상FinFET은 gate와 oxide가 닿는 면적을 3면으로 늘려서 gate controllability를
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